مجتمع‌سازی مدار گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی 



x

مجتمع‌سازی مدار گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی



محاسبه ثابت هنری به روش K.K برای گازهای مختلف در الفین‌ها و اروماتیک‌ها
بررسی سینتیک و مکانیسم تخریب حرارتی پلیمرها
مقاومت سیمانهای مختلف در برابر آبهای نمک‌دار
مدلسازی خطوط لوله جریان‌های سه فازی مربوط به انتقال گاز میادین نفت و گاز
طراحی تیکنر به منظور تغلیظ پرکلرات آمونیم
ارزیابی عملکرد برج تقطیر چند جزئی با استفاده از کنترل پیشرفته

صلبیت پیچشی و برشی تیرهای با مقاطع باز جدار نازک
تقارن در سازه‌های اسکلتی
توسعه تئوریک منحنی‌های شکنندگی برای ساختمانهای بتنی میان مرتبه متداول در ایران
بررسی تاثیر مدل های رفتاری خاک درسیستم های چندلایه‌ای بر پاسخ سازه های زیرزمینی تحت اثر بار دینامیکی ناشی از انفجار
پیش بینی تراوش در بدنه یک سد خاکی با استفاده از روش های داده کاوی و مقایسه آن با روش های عددی
طرح و تحلیل پلاستیک سازه ها با استفاده از بهینه یابی ترکیباتی و برنامه ریزی ریاضی
حمایت از ما | مشهدهاست
`

مجتمع‌سازی مدار گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی






در این پروژه مدار مجتمع گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی با تکنولوژی CMOS طراحی و شبیه‌سازی شده است . یک سیستم تصویربرداری آرایه فازی اولتراسوند شامل سه قسمت اصلی پیش تقویت‌کننده، تقویت‌کننده بهره متغیر و تاخیر آنالوگ می‌باشد. در ابتدا روشهای تصویربرداری اولتراسوند، همچنین ترانسدیوسرهای مورد استفاده در تصویربرداری مورد بررسی قرار گرفته‌اند. به منظور تقویت سیگنالهای ضعیف ترانسدیوسرها دو نوع پیش تقویت‌کننده، یکی تقویت‌کننده بار و دیگری تقویت‌کننده امپدانس انتقالی طراحی و شبیه‌سازی شده است . مدار پیش تقویت‌کننده و ترانسدیوسر پاسخ فرکانسی میان گذری با پهنای باند 3 MHZ در فرکانس رزنانس ترانسدیوسر (3 MHZ) ایجاد می‌کنند. پس از بررسی تقویت‌کننده‌های بهره متغیر حلقه بسته و حلقه باز،، دو تقویت‌کننده بهره متغیر، یکی حلقه بسته آپ‌امپی و دیگری حلقه باز و براساس قانون درجه دوم جریان در ترانزیستور MOS طراحی گردیده‌اند. مجموع پیش تقویت‌کننده و تقویت‌کننده بهره متغیر، نویز معادل کمتر از 10 میکروولت با پهنای باند 3 MHZ در ورودی خواهند داشت . هسته اصلی مدار، یعنی پیش تقویت‌کننده و تقویت‌کننده بهره متغیر با استفاده از پارامترهای تکنولوژی CMOS4S با حداقل ابعاد 1/2 میکرون شبیه‌سازی شده است . جانمایی این بخش از مدار 0/4 میلی‌متر مربع از سطح تراشه را اشغال می‌کند و توان تلفاتی آن در حدود 16 میلی‌وات می‌باشد. در انتها CCDها به عنوان خط تاخیر آنالوگ با پاسخ فرکانسی بالا و راندمان مناسب مورد بررسی قرار گرفته‌اند. خط تاخیر CCD می‌تواند به صورت هایبرید و یا به صورت یکپارچه در یک تکنولوژی مرکب CMOS-CCD به کار برده شود.
نمایه ها:
اولتراسوند |
مجتمع سازی |
الکترونیک |
آرایه فازی |
مدار |
حسگر |
گیرنده |



 اين مطلب بدون دخالت انساني عينا از اين آدرس کپي شده و تمامي مسوليت آن با ناشر اصلي است.

برترین مطالب


طراحی بهینه رباتهای موازی
حل عددی جریان هوا و توزیع و مسیر حرکت ذرات آلوده کننده در اتاقهای تمیز
حل تحلیلی جریان سیال حول کره در اعداد رینولدز پایین و شرط مرزی لغزش با استفاده حل استوکس واوسین
تحلیل فنی-اقتصادی روشهای مختلف بازتوانی کامل یک نیروگاه بخار براساس حالات مختلف استفاده از گرمکن های آب تغذیه
مطالعه عددی هایپرترمیا جهت بهینه سازی توزیع نانوذرات مغناطیسی پایه آهنی در بافت سرطانی با روش طراحی آزمایش
تحلیل مسائل آهنگری گرم با المان محدود

عملکرد ویژه گیربکس‌های 6 سرعته اتوماتیک ب ام و
مروری بر پلیمرهای معدنی و آلی فلزی
خودآموز تولید بازی های اینترنتی
بتن غلطکی کوبیده. ( کلیات ، مصالح و نسبت های اختلاط )
بررسی و محاسبه ظرفیت در سیستمهای CDMA سلولی
خالص‌سازی اسید فسفریک
*